DRAMに対して何度も記録や再生を行うことで負荷をかけて検証します。
各DRAMアドレスにあるパターンを記録後にそのパターンの反転した値を記録して、 充電状態だった記憶セルは全て放電状態にし、また放電状態だった記憶セルは充電状態にすることで、 DRAMに充放電の負荷をかけます。 さらに、パターンを記録しては反転パターンを記録します。 この記録パターンは弊社の基本18パターンを用います。
このようにしてDRAMにかなりの負荷をかけることで 単独動作の検査では発現しなかった障害を発見するのに有効です。

テスト例

1. すべてのDRAMアドレスに10101010bパターンを記録

2. 各アドレスの再生データと10101010bパターンを比較検証

3. すべてのDRAMアドレスに反転した値01010101bパターンを記録

4. 各アドレスの再生データと01010101bパターンを比較検証

5. 他のパターンでも同じ検証を行う

各パターンテストやアドバンストパターンテストは、ビット単位で記憶セルを検査しましたが、 アドレス単位のパターンテストによって、近隣ではないけれどもDRAMチップ内で物理的に近い記憶セル同士の 記録および再生時の影響や、列アドレスが同じで行アドレスが異なる記憶セルの影響、 そして行アドレスと列アドレスが同じでDIMMが異なる記憶セルの影響などを検査するのに有効です。

• 隣接アドレスに不正な値を記録
  
  (例) 記録値 ： 0x000000A3 → DRAM値 : 0x00A300A3

• 異なるバンクの同じアドレスに不正な値を記録
  
  (例) アドレス0x01000(Bank番号1、行アドレス50、列アドレス12)に0xA3を記録
  
                                                ↓
  
        アドレス0x2300(Bank番号2、行アドレス50、列アドレス12)にも0xA3が記録されている
  　

以下に各種アドレス単位のパターンテストを説明します。

1. アドレステスト
   
   各DRAMアドレスに対し、アドレス自身の値をそれぞれ記録して検証します。 記録時および再生時の近隣アドレスへの影響の検証に有効です。

2. モジュロ20テスト
   
   20番地のアドレス毎に、0を書き込み、他のアドレス番地には全ビットに1を書き込み検査します。 記録時および再生時の近隣アドレスへの影響の検証に有効です。

3. ムービングインバージョンテスト
   
   アドレス番地が増えるたびに1ビットシフトした基本パターンを書き込み検査します。 全ての基本パターンについてそれぞれ検査します。 記録時および再生時の隣接アドレスへの影響の検証に有効です。

900秒間アドバンストパターンテストを行い続け、再現性の非常に低いDRAM障害を検出するのに役立ちます。