DRAM技術の進化によって高速化がすすんでいます。 しかしICの集積化・高速化が進めば ICの設計･製造には高度な技術が必要な上にノイズや過電流、静電気の放電、経年劣化などの耐性が 低くなります。
ノイズには以下のような原因によって発生する場合があります。 　

• クロストーク

• 反射

• スキュー

また障害の性質としては、設計不良や製造工程上の不良などが原因の先天的な障害と、 経年劣化や動作環境が原因の後天的な障害の2種類が考えられます。

全ての構成デバイス(SDRAM IC、DIMM、SPD、コントローラ)の先天的障害は、設計不良または 製造不良によって起こるノイズが主な原因です。
各デバイスはベンダーによって各々製造することが可能であるため、製品によっても品質がまちまちで、 大容量化と高速化による近年の急激な微細化と苛烈な価格競争によって粗悪な製品が販売されることが 多々あります。
また、ユーザが機器購入後に発生する動作不良は一見後天的障害に思えますが、実は低コストで 設計製造された粗悪な構成デバイスが劣化し障害を起こしている場合もあります。

長期間の使用で起こる経年劣化と動作環境/取扱環境による急速な製品劣化など様々な要因がありますが、 具体的には以下のような例があります。

• 熱による長期的な化学変化でICや基盤の破損によりノイズ発生

• 帯電した人体/物体と接触時の放電によってICや基盤の内部配線断

• 雷などのサージ電流によってICの内部配線断

• DIMMの挿抜による接続端子の磨耗によりDIMMスロットと接触不良

• 酸化などの化学変化でDIMM接続端子が腐食し、DIMMスロットと接触不良

• 振動によるICや抵抗などの電子部品の半田剥がれで内部配線不良または配線断

• 衝撃による基盤や半導体の破損で内部配線断

• 炎天下や排気不良などの高温環境下での熱によって内部で電流リーク発生またはIC内部回路特性劣化

• ユーザの実装ミスで基盤が破損し、基盤内部配線断

• ユーザのDRAM選定ミスで動作遅延

これらの障害により、下記のような現象の例が挙げられます。

SDRAM IC および RERAM

• クロストークや反射による隣接ビットおよび隣接アドレスのデータ不正

• スキューによって転送データ遅延によるDRAMデータ不正

• 反射による該当記憶セルのデータ不正

• 内部劣化による特性が変化し、ノイズ発生

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

DIMM および RIMM

• クロストークによる隣接SDRAM ICのデータ不正

• スキューによって転送データ遅延によるDRAMデータ不正

• 反射ノイズによる該当アドレスのデータ不正

• 劣化による特性変化によるノイズ発生

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

コントローラ

• クロストークや反射による隣接DIMMのデータ不正

• スキューによって転送データ値不正となりDRAMデータ不正

• 内部配線断または内部回路破損で動作不能

• 配線断で動作不能

• DIMMとスロットの不完全装着に起因する一時的な障害(DRAM自体は正常)

これらの現象の中でクロストークや反射によるDRAMのノイズ障害が、 ユーザの知らぬ間に発生して大切なデータが書き換えられてしまう可能性があり、 最も厄介です。